党的十九届五中全会提出：“要坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位，把科技自立自强作为国家发展的战略支撑。”
Ø国家发改委在《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》中明确提出“要加快IGBT等核心技术部件研发”。
Ø国家电网公司在2020年科技创新大会上提出“要着力增强原始创新能力，实现关键核心技术自主可控”，并在其发布的《新兴产业集群培育的指导意见》中进一步明确重点拓展IGBT等新兴业务。
由此可见：无论是国家层面、还是行业层面，都将IGBT领域技术创新放在了发展的核心地位。
一、什么是IGBT
绝缘栅双极型晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT) 是为解决金属—氧化物半 导体场效应晶体管在高压应用时的导通损耗与耐压水平之间的矛盾，由通用电气公司和美国无线电公司在1982年提出的一种新型结构器件。经过30 多年的发展，IGBT技术持续改进，实现了在功率变换领域的广泛应用。
作为智能电网、轨道交通、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域的技术热点，在较长一段时间内，IGBT核心技术都由国外相关机构和企业把持。近些年，中国在此领域虽取得了长足的进步，但也存在一些“卡脖子”技术和研究空白，需要重点开展科研攻关。
经过多年的发展，IGBT器件领域已经积累了大量的专利，专利信息是一种高度标准化的技术法律信息，无论是专利类别划分，还是文体结构及句法结构，都有相对可循的规律。对IGBT专利的全景分析既可以了解目前国内外对此领域的专利研究现状，也可以提升IGBT专利质量，激发创新能力，探究未来发展趋势，有利于企业制定发展策略。
二、《绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专利全景分析报告》
由英大传媒集团中国电力百科网运营团队策划并牵头编制的第一款技术咨询研究报告——《绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专利全景分析报告》，即将于2021年3月正式发布!报告由国网智能电网研究院等权威研究机构提供专家指导、中国电力百科网(www.ceppedu.com)、德温特创新平台(www.derwentinnovation.com)提供数据和工具支持。
Ø IGBT技术领域最新、最全专利分析报告
Ø 内容丰富、数据详实、分析全面、方法新颖
Ø 形成了全方位、多角度、专业化的研究结论
Ø 可为国内外相关政府部门、科研院所、企业、高校等提供有益参考
本报告通过制定IGBT 整体检索和分析方案，对IGBT全球范围内的专利信息进行深度检索，从专利授权活动、实体动态、技术分析等角度全面分析、洞察专利授权的趋势，并对专利技术分支进行多维度统计分析，形成全方位、多角度、专业化的研究结论。
三、报告的作用
(1)全面了解IGBT 技术的最新发展趋势和技术布局，分析指导发展方向，把技术空白或布局薄弱处作为突破口，为企业构筑核心竞争力。
(2)有效规避相同的发明点，避免在研发过程中的各种潜在风险，从而优化企业专利布局，更好地保护自有知识产权。
(3)深入了解IGBT领域的主要竞争对手及其发展方向，从而制定相应策略，出具竞争方案，为企业自身制定未来的专利和市场对抗战略提供有利的依据。
四、报告的亮点
1.优化的检索策略
(1)检索范围大：包含在全球范围内公开的，在标题、摘要或权利要求中涉及“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)以及续流二极管(FWD)”的近 20 年(从 2000 年 1 月 1 日起首次提交的)专利数据，在初步检索基础上，进行了大范围去噪，并通过与专家协商进行重查、清理和确认，最终得到检索结果为10259个专利家族，以此作为IGBT技术领域研究的专利集合，并通过分析每个专利家族的一篇专利公开代表进行全景分析。
(2)检索要素全：使用关键词及其变体，在德温特创新平台(Derwent Innovation)和中国电力百科网中，用其包含的多种分类方式及其组合(包括IPC、CPC和DWPI手工代码)进行综合检索。
(3)检索策略新：采用了关键词与分类号、关键词与关键词等相关策略，最终确定了28个检索策略，其中主要检索策略包括：
Ø 检索在标题、摘要、权利要求等重要分类中主要讨论IGBT的专利。
Ø 检索几种不同类型的IGBT(例如 COMFET、MOSIGT、GEMFET)。
Ø 检索主要讨论高压二极管或功率二极管，例如快恢复二极管、续流二极管或晶闸管、并且提到了这些器件同时适用于IGBT的专利。
Ø 检索集中于功率半导体器件的专利，其提到了在IGBT 技术领域中的应用。
2.完善的分析方法
通过技术关键词和技术分类体系对每个子分类进行单独的检索，将最终的集合细分到最小分类中，并基于最终分类的专利集合，生成分析框架，在专利授权趋势、实体动态、技术分析等维度上，以可视化方式突出显示专利全景分析的重要结论。
3.采用“发明”这一概念进行专利分析
Ø 报告采用“发明”作为每个专利记录的定义。
Ø “发明”不是单独的专利公开文献，而是包括了同一个专利家族的相关专利申请和授权专利。
Ø 采用“发明”这一概念进行专利分析，为 IGBT 技术领域实体的发明活跃度等指标提供了更准确的测定，并能够对遍及该领域的总体创新水平提供更真实的描述。
Ø 为了进行统一的分析，专利全景分析中使用每个专利家族第一次提出专利申请的日期作为分析的基础。
五、报告内容概览
1.报告给出了IGBT专利集合的专利地图，如下：
IGBT专利集合的专利地图
2.报告给出了IGBT的技术分类表，如下(部分)：
IGBT的技术分类表(部分)
3.报告分析了IGBT专利创新趋势、创新增长率、创新来源、保护和申请策略、平均专利审查周期及授权率等专利授权活动内容。
创新增长率
4.报告分析了专利所有权动态、第一梯级专利组合及创新增长率、专利强度分布、专利实体保护策略、顶级学术机构、新兴实体等内容，还对国家电网公司在IGBT技术领域的专利引用和被引用的关系进行了重点阐述。
顶级学术机构
5.报告对各技术分类的专利分布、技术创新增长趋势、新兴技术、主要参与者的技术重点、技术交叉与空白进行了详细的分析。
IGBT分类的增长趋势
六、报告主要结论
报告形成的部分结论如下：
(1)总体情况
Ø 在2009年至2013年观察到了发明活跃性的高增长。自2013年后，本领域的申请数量趋于稳定。
Ø 企业在该领域中贡献大多数发明，而14%的发明由学术和政府研究机构提交。
Ø ……
(2)创新来源情况
Ø 中国在IGBT技术领域取得了长足的发展，其中自2014年以来，65%的发明方案在中国得到了保护，这表明中国实体近年对这一领域的强烈关注。
Ø 近年来，来自日本的发明专利数量有所减少。
Ø 在美国提交的专利获得授权的时间最快，并且在美国提交的专利中几乎87%已经被授权。
Ø ……
(3)专利实体情况
Ø 前3位发明数量最高的实体是富士电机(665项)，英飞凌(624项)和三菱电机(363项)。
Ø 剑桥半导体公司、安森美半导体和古河电气工业具有高引用数量的旧有专利，是影响深远的早期创新者。
Ø ABB、罗姆半导体、三星电机、电子科技大学、东南大学是该领域的新兴实体，拥有强大的年轻专利组合。
Ø ……
(4)国家电网公司情况
Ø 在电力电子、半导体以及计算和控制领域，国家电网公司在中国的专利被其他专利引用。
Ø ……
(5)技术趋势
Ø 沟槽、硅基 IGBT 和减薄是在 IGBT 分类中发明数量最高的主要类别。
Ø 沟槽、碳化硅基 IGBT 和载流子存储层子类在 IGBT 分类内显示出最高的增长。
Ø ……
(完整结论请参见报告全文)
七、报告的获取方式
报告全文将以纸质版和电子版两种方式发布，单本定价150元，发布时间初步定于2021年3月。现在正式开始接受预定。其中：
纸质版可联系英大传媒集团数字出版中心购买，可接受个人和团体订购，个人提前订购享受优惠价，团体订购享受阶梯优惠。
电子版可通过中国电力百科网PC端(www.ceppedu.com)、移动端(电网头条APP知识频道)来购买阅读。中国电力百科网会员单位可享受免费在线阅读。
报告检索到的近20年的IGBT专利全文(共计10259篇)已全部录入到中国电力百科网专利库中，后期对电百网会员单位开放阅读和下载。
如对报告的内容、获取方式以及会员单位的开通等问题有疑问，可联系我们。
联系电话：010-63412784
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