《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）专利全景分析报告》发布

　　3月19日，《绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专利全景分析报告》发布会在北京召开。会议主题为“IGBT芯片发展现状及趋势”。报告在国家知识服务平台电力分平台(中国电力百科网)首发。这是国家电网有限公司针对IGBT领域的第一份专利分析报告。

　　IGBT作为一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，在智能电网、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT技术是我国急需攻克的“卡脖子”技术之一。报告通过制订IGBT整体检索和分析方案，检索IGBT在全球范围内的专利信息，分析专利授权活动、实体动态、技术趋势等内容，多维度统计分析专利技术分支，形成全方位、多角度、专业化的研究结论。

　　报告在国网科技部的指导下，由英大传媒投资集团有限公司、全球能源互联网研究院等单位联合组建IGBT专利分析项目团队，完成报告研究和编制工作。中国电力百科网牵头为该项目提供数据支持。这也是英大传媒集团发布的第一份技术咨询报告。

　　与会专家认为，这份报告具有较强的针对性和指导性，将为公司乃至能源电力行业在IGBT领域明确研发方向和专利布局策略、防范专利侵权风险等方面提供重要参考。

　　英大传媒集团将以此次成果发布为契机，充分发挥中国电力百科网的平台作用，不断推出独有原创产品，支撑电力科技创新。

　　英大传媒集团、全球能源互联网研究院相关负责人，国网科技部、国家能源集团科技部、中国电科院、国网能源院、国网经研院、中国大唐科研院等10余家单位相关同志及专家参加发布会。